半導體poly gate
2019年6月15日—我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的,但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化,比如N-poly的NMOS加正电压,则N-type载流 ...,2021年7月24日—Gate蝕刻先挖SIO,再挖polysilicon,再挖沒有被poly覆蓋的Gateoxide這時候...
工學院專班半導體材料與製程設備組
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由楊學修著作·2006—(polygate)。此四個步驟中間並無間斷,於是當最後製程結果不合乎預期.時必須要有量化的方式去釐清哪一個製程反應室出問題。對於基底氧化層、.後氮化回火製程與 ...
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